Samsung : coup d’accélérateur sur les procédés 2 et 1,4 nm

Samsung Foundry a dévoilé sa feuille de route sur les procédés 2nm et 1,4 nm pour les prochaines années.

Samsung souhaite améliorer sa technologie basée sur le gate-all-around (GAA) et introduire le processus 2 nm en 2025 puis le processus 1,4 nm en 2027. « L'objectif de développement technologique jusqu'à 1,4 nm et les plates-formes de fonderie spécialisées pour chaque application, ainsi qu'un approvisionnement stable grâce à des investissements constants font tous partie des stratégies de Samsung pour garantir la confiance des clients et soutenir leur succès », a indiqué le Dr Siyoung Choi, président et chef de fonderie chez Samsung Electronics lors du Samsung Foundry Forum.

Améliorer les process 3nm et 4 nm

Samsung a indiqué vouloir cibler les marchés des semi-conducteurs hautes performances et basse consommation tels que le HPC, l'automobile, la 5G et l'Internet des objets (IoT). « Pour mieux répondre aux besoins des clients, des nœuds de processus personnalisés et sur mesure ont été introduits lors du Foundry Forum de cette année. Samsung améliorera sa prise en charge du processus 3 nm basé sur GAA pour le HPC et le mobile, tout en diversifiant davantage le processus 4 nm spécialisé pour le HPC et les applications automobiles. », détaille la firme dans un communiqué.

Autant d’arguments qui visent plusieurs objectifs. Premièrement, réduire l’écart qui le sépare du Taïwanais TSMC. D’après Counterpoint, 56 % du marché des semiconducteurs, est accaparé par le taïwanais, suivi par Samsung avec 13 %. Et deuxièmement, il s'agit aussi pour le coréen de rassurer ses actuels et futurs partenaires sur ses capacités.