Samsung a annoncé le lancement de la production en masse de ses puces mémoires Flash de 2Go gravées en 51 nanomètres.
Avec cette nouvelle génération de puces mémoires, Samsung prend une longueur d’avance, et permet à ses composants de consommer jusqu’à 60% d’énergie en moins, en passant de la gravure 60 à 51 nm.
Toujours grâce à la finesse de gravure, les puces mémoires de Samsung ont des performances améliorées avec un débit en lecture de 30 Mo/seconde et une vitesse d'écriture de 8 Mo/seconde. Reste à les comparer aux 17 Mo/seconde et aux 4,4 Mo/seconde obtenus avec de la mémoire Flash en 60 nanomètres.
L’intégration de ces puces dans les produits grands publics devrait commencer à la fin de l’année, en attendant que le fabricant coréen développe des puces cartes mémoires de 16Go…