Des chercheurs américains viennent d’annoncer avoir réussi à battre le record de densité atteint, à hauteur de 100 Gbits/cm².
Même si l’annonce n’est pas encore totalement officielle, les chercheurs de l'UCLA (University of California, Los Angeles) et du California Institute of Technology ont donné quelques explications sur leur technique.
Jusqu’à aujourd’hui, une cellule unique de stockage pouvait accueillir 1, 2, voire 4 bits de données - dans les mémoires Flash par exemple. Les chercheurs américains annoncent eux pouvoir stocker 160 kilobits de données sur un espace similaire. Soit une densité de 100 Gigabits par cm² !
« C'est un genre de périphérique qu'Intel peut penser fabriquer en 2020. Mais pour le moment, cela nous rapproche de notre objectif de fabrication de circuits électroniques fonctionnels aux dimensions moléculaires » explique James Heath, directeur du projet de recherche, selon des propos relayés par nos confrères de PCInpact.
Plus techniquement, 400 filins de silicium en croisent 400 autres en titane. Ainsi, la couche d'interrupteurs (switch) moléculaires est bloquée entre les 2 paquets de filins. Un croisement de filin unique est matérialisé par 1 bit de donnée, de 15 nanomètres de large, contre 140 nm actuellement.
A noter que cette technologie ne devrait pas être disponible avant un bon nombre d’années…